碳化硅SIC MOSFET数据手册
碳化硅肖特基二极管
整流二极管，肖特基二极管，快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管；如果做开关电源的话，低电压的话用肖特基二极管，高电压的话用快恢复二极管。
Vgs栅源电压在负电压时关闭，在-4V左右；Vgs栅源电压在正电压时打开，在15V左右打开；一般标称电压都需要80%来计算；
Vth就是Vgsth电压就是Vgs的门槛电压，如示例中的2.9V表示Vgs要大于2.9V才会导通。
Ron就是导通阻，也就是Rds(on)也就是漏源极的导通电阻，这个阻值越小越好。管子的驱动分为单电源驱动和双电源驱动，绝大多数是双电源驱动。
碳化硅的三种形式
- D、S间的导体是通过中间的电子层导通，双向可导通，即常开Normally On 简称NO; 只要VGS>0；侧VDS就是导通的；只要VGS<0；侧VDS就是关断的；
- 在碳化硅体内加一个30v的低电MOSFET解决0V关断5V导通，因此成品体内实际有两个管子，资料上的反向恢复时间均与此小MOSFET上的二极管有关。
- VGS<VGS(th) 就断开；VGS>VGS(th)就导通。
- VGS导通电压越大，侧RDS(on)导通电阻就越小；
碳化硅，氮化镓，NMOS这几个最重要的参数
td(on)开通延迟时间：从A到B的时间段；
tr上升时间【漏极电压 VDS 的变化区间定义的时间】从B到C的时间段；
ton = td(on)+tr【开启时间】 等于从A到C的时间段；
td(off)关断延迟时间：从A到B的时间段；
tf下降时间【漏极电压 VDS 的变化区间定义的时间】从B到C的时间段；
tof = td(off)+tf【关断时间】 等于从A到C的时间段；
Eoff是关断损耗，VDS上升沿，ID下降沿；
Eoff的开关损耗是通过VDS与ID的乘积，然后按Ctrl+鼠标点击就可以得到55.777uJ
以相同的方式进行Eon的操作；
Eon开关的打开损耗约198uJ;
你可以把这几个参数用一句话区分
Transconductance，符号 gfs，跨导；你可以把 MOSFET 想象成一个用 Gate 电压控制 Drain 电流的“电子水龙头”。gfs 看“开始工作以后，Gate 对电流的控制有多强”。
RDS(on)的理解：
RDS(on)
↓
看 MOSFET“已经打开以后”
↓
VDS / ID
===================================================================
gfs的理解
gfs
↓
看 Gate 对 ID 的控制
↓
VGS / IDMOSFET 突然产生一股热量，只持续很短时间，那么这时候芯片到外壳之间到底有多难散热？典型瞬态热阻随脉冲持续时间变化的关系。
