CMOS的主要参数和测量

CMOS的主要参数
三极管驱动功率大，速度快，CMOS驱动功率小，速度慢。

场管的封装型式

可以通过引脚，测量方法的区别来判断线路板上无标识的微型元件
对于SOT或SOP元件，就比较麻烦，可能是 热每电阻，二极管，三极管，
场效应管，CPU复位看门狗，DC/DC转换器pWM; 三端稳压，TL431等。

CMOS场客的常见故障和好坏测量方法

指针表测CMOS场管好坏方法
G极与S,D极之间不允许有漏电或导通。如果表针有偏移的现象可以直接判定是坏的。

大个的TO247封装的：指针万用表10K档，

1. 正反向测量S极与G极，指针都不应偏移，说明没有漏电现象。只要有一点漏电现象，管子就不能用了。
2. 测量完后短路S极与G极进行关断（GS间有结电容）
3. N沟道是D接正，S接负进行测量。不导通，把G正S负给个正向电压进行触发，此时Ds就导通了。D极接正，G极接负进行关闭。

场管打耐压，要把GS进行短接后打耐压，D接正，G接负进行打压。间隔10秒
再打一次压。如果测得耐压值低于标称20%就不能用了。