二极管三极管的原理
有源和无源器件的概念
有源器件：晶体管、MOS管、放大、振荡、开关等。可以产生信号的能量或能源。属于半导体的范畴。
无源器件：电阻、电容、电感。消耗的作用，只会使能量消耗；
电路基础是由有源器件和无源器件组成电路，形成能量的处理与转换。
两个二极管或三极管为什么不能并联使用
独立的二极管、三极不可以并联，MOS管可以并联；假如红色的0.6V导能，蓝色的0.65V导能，那么在同一时刻，蓝色永不会导通。晶体管的主要因素是温度温问题，只要将晶体管散热做好就可以解决问题。如加散热片。
二极管的特性及PN结的产生
PN结的产生，正负电荷相吸又不能越过中线，形成这样的一个结，就是PN结。
- 形成的外电场则是N带有正电荷，P带有负电荷，此时如果给如果在外界加上电电源就形成电荷的移动。此时PN结会越来越厚，也就是阻挡层会越来越厚而无法导通。外界是正电荷加到N，外界是负电荷加到P; 而这个反偏时阻挡层加厚等效是一个电容。例如：变容二极管。
- 外界是正电荷加到P，外界是负电荷加到N，高频管、开关管、肖特基管、快恢复管都要尔结电容要小【PN结要厚】，恢复时间要快。
三极管的特性及原理
发射结加正向电压，又因为发射区杂质浓度高，因为扩散运行越过发射结到达基区，形成发射极电流Ie，发射区与基区的杂质比例就是贝塔值；NPN三极管可以进行贝塔倍的放大电流；
- NPN三极管有两个PN结，分别是集电结反偏，要耐高压，不能有一点漏电，所以集电结很厚；
- 发射结正偏，所以厚度很薄；通以很低的电压就能导通，所以反向耐压也很低，一般小6V以内。所以用指针表的10K档测发射结的反向电压是会被击穿的而导通了。所以发射结的反向电压是漏电的。
肖特基二极管
由于肖特基二极管没有PN结，是有N区与金线连接起来的二极管，因为硅材料的PN结是0.6V， 而肖特基是PN结的一半所以电压也只有0.3V了，肖特基的耐压也比较低一般不超过100V， 但是它的电流是比较大的，恢复时间极管，是普通二极管的40分之一；10K档测有时会漏电情况。
